碳化硅单晶具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高等性质，在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和航天、**、核能等极端环境应用领域有着不可替代的优势，在宽带通讯、太阳能、汽车制造、半导体照明、智能电网等众多战略行业可以降低50%以上的能量损失，弥补了传统半导体材料器件在实际应用中的缺陷。高纯石墨粉是我国碳化硅半导体领域的关键核心原材料，在该领域有重大需求。SiC单晶用高纯石墨/超高纯石墨粉除了对总体灰分的要求(≤5ppm)，还对粉体粒度分布、晶形结构、特定杂质元素(如硼、铝、氮、钒等)有具体要求。